Beschreibung
Fotodiode 900–2200 nm zur Montage eines Diodenlasers
Merkmale:
- Spektrumbereich: 900–2200 nm
- Sperrdurchbruchspannung Id=100uA: 1,6 V
- Durchmesser der lichtempfindlichen Oberfläche: 1000 um
- Dunkelstrom Vr=0V: 0,03 uA
Anwendungen:
- Wissenschaftliche Experimente
- Forschung
- Menschliches Experimentieren
Spezifikation
Artikel-Nr.: TO850VC200
| Optisch | Typischer Wert |
| Spektrumbereich | 900–2200 nm |
| Verantwortung Vr=0V λ=1550nm | 1.05A/W |
| Verantwortung Vr=0V λ=2004nm | 1.2A/W |
| Sperrdurchbruchspannung Id=100uA | 1.6V |
| Sperrschichtkapazität F=1MHz, Vr=0V | 420pF |
| Sperrschichtkapazität F=1MHz, Vr=0.1V | 360pF |
| Durchmesser der lichtempfindlichen Oberfläche | 1000 um |
| Elektrisch | |
| Dunkelstrom Vr=0V | 0,03 uA |
| Dunkelstrom Vr=0.1V | 3,5 uA |
| Arbeitsspannung | -0.1~0V |
| Shunt-Widerstand Vr=10mV | 0.15M |
| Rückstrom | 1mA |
| Vorwärtsstrom | 1mA |
| Sperrspannung | 0.1V |
| Thermal | |
| Testtemperatur | 25 Grad |
| VCSEL-Chip-Emitter-Anzahl | 48 |
Zeichnung:
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