850nm 10W TO18 gepulste VCSEL-Diode
VCSEL-Array-Technologie (High-Power Vertical-Cavity, Surface-Emitting Laser) in einem TO-Gehäuse, das eine unübertroffene sprenkelarme und gleichmäßige Beleuchtungsqualität erzeugt und sich daher ideal für Laserbeleuchtungsanwendungen eignet.
Funktionen
850nm Multimode-VCSEL; Gute Wärmeleitung
Oxid-Isolationstechnologie; Kurze Steigzeit
Hohe Zuverlässigkeit; Leicht zu kollimieren
Es wurde entwickelt, um für Sensoranwendungen sowie für die Luftübertragung von Daten verwendet zu werden. Es verfügt über eine Back-Monitor-Fotodiode, die für das optische Power-Management oder den optischen Empfang verwendet wird.
Leistungsbeschreibung:
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Parameter |
Typ. |
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Optische Pulsleistung |
10 W |
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Schwellenstrom |
0,05 A |
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Vorwärtsimpulsstrom |
73A |
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Emissionsgebiet |
215 * 226 Euro |
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Spitzenwellenlänge |
850nm |
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Impuls-Durchlassspannung |
30 V |
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Vorwiderstand |
0.41Ω |
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Abstrahlwinkel |
20 Grad |
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Wellenlängenverschiebung |
0,07 nm/°C |
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Anstiegszeit |
2,4 ns |
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Löttemperatur |
260°C |
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Arbeitszyklus |
0.1% |
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Substrat |
AlN(3535)/Cu(TO18) |
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Gehäuse-Betriebstemperatur |
-40 ~ 80 °C |
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Speichertemperatur |
-40 ~ 80 °C |
LIV-Diagramm
Puls und Wellenlänge
Mechanische Spezifikationen (Einheit:mm)
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