850 nm 4 mW VCSEL-Diode TO46
Überblick
Merkmale
Vertikale-Hohlraumoberfläche-emittierende Laser
TO-46-Gehäuse mit geringem elektrischem Störfaktor
Hochleistungs-GaAs-PIN-Fotodiode mit separatem Transimpedanzverstärker
Niedrige Vorströme und Spannung
Hohe Zuverlässigkeit und einfache Kollimation
Notiz
Das Reflow-Löten kann nur einmal durchgeführt werden. Während des Temperaturanstiegs-werden keine Kräfte ausgeübt
Es kann zu einer Verformung oder Beschädigung des LD kommen. Bitte erst nach Abschluss des Lötvorgangs
Auch nicht verarbeiten, bis die Produkttemperatur auf Raumtemperatur abgesunken ist.
Spezifikationen:
Artikel-Nr.: TO850VC0004
| Parameter | Typ. |
| Optische Leistung | 4mW |
| Schwellenstrom | 0,1 mA |
| Vorwärtsstrom | 7,1 mA |
| Effizienz der Energieumwandlung | 24% |
| Steigungseffizienz | 0,58 mW/mA |
| Die Größe | 172×111um |
| Spitzenwellenlänge | 850 nm |
| Laserdurchlassspannung | 2.3V |
| Serienwiderstand | 32.4Ω |
| Abstrahlwinkel | 20 Grad |
| Wellenlängentemperatur. Drift | 0,07 nm/Grad |
| Löttemperatur | 260(5s) Grad |
| Substrat | Cu/Ag |
| Gehäuse-Betriebstemp | -20~85 Grad |
| Lagertemp | -40~105 Grad |
LIV-Diagramm und Wellenlänge
Mechanische Schaltpläne (Einheit: mm)
SMT-Reflow-Lötkurve
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