10 Gbit/s 850 nm 2,5 mW oberflächenemittierender Laserchip mit vertikalem Hohlraum
Der 10-Gbit/s-850-nm-2,5-mW-VCSEL-Chip ist für den Einsatz in optischen Hochgeschwindigkeitsdatenkommunikationsanwendungen konzipiert.
Merkmale
850-nm-VCSEL-Chip
Einzelner Längsmodus
Bitdatenrate mehr als 10 Gbit/s
Oxidisolationstechnologie
Niedriger Schwellenstrom
Hohe Zuverlässigkeit
Anwendungen
Hochgeschwindigkeits-Datenkommunikation
Optischer USB
Aktives optisches Kabel (AOC)
HDMI
Sensoranwendungen
Spezifikationen:
Artikel-Nr.: VC850SE4
Artikelbezeichnung: 10 Gbit/s 850 nm 2,5 mW VCSEL-Chip
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Parameter |
Typ. |
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Optische Impulsleistung |
4,4 mW |
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Schwellenstrom |
0.67A |
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Steigungseffizienz |
0,6 mW/mA |
| Effizienz der Energieumwandlung | 24% |
| Öffnungen | 300 |
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Spitzenwellenlänge |
850 nm |
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Durchlassspannung |
2.3V |
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Abstrahlwinkel |
29Grad |
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Wellenlängenverschiebung |
0,07 nm/Grad |
| Betriebstemperatur | -25-85 Grad |
| Lagertemperatur | -40-105 Grad |
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