4W 940nm VCSEL Die Laserdiodenchip
Hauptmerkmale
940 nm einzelne Wellenlänge
Geringe Wellenlängendrift
Oxidisolationstechnologie
Niedriger Schwellenstrom
Kleine Emissionsfläche
Einfach zu kollimieren
Anwendungen
3D-Sensoren
Lidars
IR-Beleuchtung
Medizinische Anwendungen
Näherungssensoren
Industrielle Anwendung
4W 940 nm VCSEL Chip-Gehäusevorschlag
Für die Verpackung sollte der Benutzer ein hochwärmeleitendes Substrat mit AlN oder Kupfer verwenden; Der Benutzer befestigt den Chip auch mit hochwärmeleitenden Materialien wie Nanosilbergel oder AuSn auf dem Substrat. Der Benutzer sollte über die Ausrüstung wie Chip-Aufsatz, Drahtbonder usw. verfügen, die sich in einem Reinraum der Klasse 1000 befinden sollte. Für weitere Hilfe in Not können Sie sich gerne an uns wenden! Wir würden mit Ihnen zusammenarbeiten, um Ihre Probleme zu lösen.
Eigenschaften
Artikel-Nr.: VC940LC4
Artikelbezeichnung: 4 W 940 nm VCSEL Die Chip
| Parameter | Typ. |
| Mittenwellenlänge | 940 ± 10 nm |
| Ausgangsleistung | 4W |
| Spektrenbreite | 3nm |
| Steigungseffizienz | 0.95W/A |
| Schwellenstrom | 1200A |
| Wellenlängentemperatur. Koeffizient | 0,07 nm/Grad |
| Betriebsspannung | 2.3V |
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