150 W 808 nm Diodenlaserchip

Produktbeschreibung
Unsere Halbleiterprodukte lassen sich einfach mit Standard-Lötmethoden zusammenbauen.
Wir liefern Ihnen unsere Laserbarren standardmäßig mit p-seitig getrennten Emitterstrukturen.
Die Anwendung von Hochleistungslaserchips umfasst hauptsächlich Faserlaser, Festkörperlaser, Excimerlaser und andere Bereiche. Spezifische Anwendungen umfassen unter anderem Pumpquellen, Laserbearbeitung, wissenschaftliche Forschung, Kommunikation, Militär usw. Die Anwendung von Hochleistungslaserchips in Faserlasern erfolgt hauptsächlich als Pumpquelle, die eine Lichtquelle mit hoher-Energie-Dichte bereitstellt, um den hohen-Leistungsanforderungen der Laserbearbeitung und anderer Bereiche gerecht zu werden. Diese Laserchips zeichnen sich durch eine hohe elektro-optische Umwandlungseffizienz, eine hohe Polarisation und einen kleinen Divergenzwinkel aus, was die Genauigkeit und Effizienz der Laserbearbeitung gewährleistet.
Datenblatt:
Artikel-Nr.: LC808SB150
| Optisch | Typ |
| Zentrale Wellenlänge | 808 nm |
| Ausgangsleistung | 150W |
| Arbeitsmodus | QCW |
| Spektrumbreite | 4nm |
| Anzahl der Emitter | 30 |
| Emitterbreite | 120μm |
| Emitterabstand | 160μm |
| Füllfaktor | 75% |
| Balkenbreite | 4800-5200μm |
| Hohlraumlänge | 1490-1510μm |
| Dicke | 105-145μm |
| Schnelle Achsendivergenz (FWHM) | 39 Grad |
| Slow-Axis-Divergenz (FWHM) | 10 Grad |
| Elektrisch | |
| Betriebsstrom Iop | 145A |
| Schwellenstrom Ith | 25A |
| Betriebsspannung Vop | 1.9V |
| Umwandlungseffizienz | 50% |
| Thermal | |
| Betriebstemperatur | 15-35 Grad |
| Wellenlängen-Temperaturkoeffizient | 0,28 nm/Grad |
PIV-Diagramm
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