150 W 808 nm Diodenlaserchip

150 W 808 nm Diodenlaserchip

Artikel-Nr.: LC808SB150
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Beschreibung

150 W 808 nm Diodenlaserchip

10W 940nm Laser Diode Bare Bar
 
 

Produktbeschreibung

Unsere Halbleiterprodukte lassen sich einfach mit Standard-Lötmethoden zusammenbauen.

Wir liefern Ihnen unsere Laserbarren standardmäßig mit p-seitig getrennten Emitterstrukturen.

Die Anwendung von Hochleistungslaserchips umfasst hauptsächlich Faserlaser, Festkörperlaser, Excimerlaser und andere Bereiche. Spezifische Anwendungen umfassen unter anderem Pumpquellen, Laserbearbeitung, wissenschaftliche Forschung, Kommunikation, Militär usw. Die Anwendung von Hochleistungslaserchips in Faserlasern erfolgt hauptsächlich als Pumpquelle, die eine Lichtquelle mit hoher-Energie-Dichte bereitstellt, um den hohen-Leistungsanforderungen der Laserbearbeitung und anderer Bereiche gerecht zu werden. Diese Laserchips zeichnen sich durch eine hohe elektro-optische Umwandlungseffizienz, eine hohe Polarisation und einen kleinen Divergenzwinkel aus, was die Genauigkeit und Effizienz der Laserbearbeitung gewährleistet.

 

Datenblatt:

Artikel-Nr.: LC808SB150

Optisch Typ
Zentrale Wellenlänge 808 nm
Ausgangsleistung 150W
Arbeitsmodus QCW
Spektrumbreite 4nm
Anzahl der Emitter 30
Emitterbreite 120μm
Emitterabstand 160μm
Füllfaktor 75%
Balkenbreite 4800-5200μm
Hohlraumlänge 1490-1510μm
Dicke 105-145μm
Schnelle Achsendivergenz (FWHM) 39 Grad
Slow-Axis-Divergenz (FWHM) 10 Grad
Elektrisch  
Betriebsstrom Iop 145A
Schwellenstrom Ith 25A
Betriebsspannung Vop 1.9V
Umwandlungseffizienz 50%
Thermal  
Betriebstemperatur 15-35 Grad
Wellenlängen-Temperaturkoeffizient 0,28 nm/Grad

 

PIV-Diagramm

 

A6H`MWJ74VQOV2G)19BA%]V

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