100 W 1064 nm Multi-Emitter-Laserchip
Das neue 100-W-1064-nm-Multi-Emitter-Laserchip-Modell ist LC1064SB100, das ein neues Epitaxiestrukturdesign und Materialepitaxie, führende Kavitätsoberflächenpassivierungstechnologie, fortschrittliches Fensterdesign ohne Pumpe und Vorbereitungstechnologie sowie Trocken- und Nasskorrosion in Kombination mit Selbstausrichtungstechnologie verwendet Konsistenz der Streifenbreite, insbesondere um eine hohe Ausbeute in der Massenproduktion zu gewährleisten, reduzieren die Kosten für Laserchips.
Merkmale:
Multistrahler mit 47 Strahlern
1,5 mm Hohlraumlänge, 100 um Emitterbreite
Arbeitsmodus: CW/QCW, Balkenlänge 10 mm
Optimiertes Design der Epitaxiestruktur
Einzigartige Technologie für höchste Zuverlässigkeit und Lebensdauer
Datenblatt
Artikel-Nr.: LC1064SB100
| Optisch | |
| Mittlere Wellenlänge | 1064 ± 10 nm |
| Optische Leistung | 100W |
| Arbeitsmodus | CW/QCW |
| Emittermenge | 47 |
| Emitterbreite | 100 um |
| Emitter-Pitch | 200 um |
| Hohlraumlänge | 1,5mm |
| Stangenlänge | 10mm |
| Elektrisch | |
| Schwellenstrom Ith | 15A |
| Betriebsstrom Iop | 110A |
| Betriebsspannung Vop | 2V |
| Thermal | |
| Testtemperatur | 25 Grad |
| Lagertemperatur |
0-55 Grad |
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