80W 808nm Multi -Emitter -Laserchip
80W 808NM Laser -Bar -Chip mit Multi -Emitter, CW -Arbeitsmodus . Multi -Emitter -Diodenlaser haben große Vorteile bei hoher Zuverlässigkeit und hoher Leistung . In Multi -Emitter -Diode -Lasern können diese kompakten Pakete und kommerziell anerkannten Formaten in vorhandene Produkte {4 {4} {4 {4} {{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{}, ermöglicht, ermöglichen.
Besonderheit:
Hoher Ausgangsleistung 80W, CW -Arbeitsmodus
100% Leistungsmodulation, 30% Füllfaktor
Optimiertes epitaxiale Strukturdesign
Einzigartige Technologie für die höchste Zuverlässigkeit und Lebensdauer
Anwendung:
Faserlaserpumpequelle
Autonomer Fahrlidar
Optische Kommunikation freier Raum
Laserbeleuchtung
Spezifikation:
Element Nr. .: LC808SB80
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Optisch |
Typ |
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Zentrale Wellenlänge |
808nm |
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Ausgangsleistung |
80W |
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Arbeitsmodus |
CW |
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Spektrumbreite |
4nm |
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Anzahl der Emitter |
47 |
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Emitterbreite |
100μm |
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Emitter -Tonhöhe |
200μm |
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Füllfaktor |
50% |
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Barbreite |
10000μm |
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Hohlraumlänge |
1500μm |
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Dicke |
125μm |
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Elektrisch |
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Betriebsstrom IOP |
105A |
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Schwellenstrom mit |
18A |
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Betriebsspannung VOP |
1.8V |
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Umwandlungseffizienz |
55% |
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Thermal |
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Betriebstemperatur |
15-35 Grad |
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Wellenlänge Temperaturkoeffizient |
0,28 nm/ Grad |
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