Beschreibung
12 W 945 nm unmontierter Laserchip
Produktbeschreibung
Der unmontierte 12-W-945-nm-Laserchip ist eine Hochleistungslaserdiode, die für Anwendungen entwickelt wurde, die eine hohe Ausgangsleistung und eine präzise Wellenlänge erfordern. Dieser Laserchip arbeitet mit einer Wellenlänge von 945 nm im Nahinfrarotspektrum (NIR) und liefert eine zuverlässige und stabile Ausgangsleistung von 12 W, was ihn ideal für verschiedene industrielle, wissenschaftliche und Forschungsanwendungen macht.
Merkmale:
InGaAs-basierte Halbleiter
Optische Ausgangsleistung: 12 W CW
Standardwellenlängen: 760 bis 1030 Nanometer (andere auf Anfrage erhältlich)
Füllfaktoren: 10 %, 20 %, 30 %, 50 %, 75 % (andere auf Anfrage erhältlich)
Resonatorlängen: 0,6 mm, 1,0 mm, 1,5 mm, 2,0 mm, 3,5 mm, 4,0 mm (andere auf Anfrage erhältlich)
Optional: Low AR-Beschichtung (typischerweise < 0,3 %)
Optional: kontinuierliche Metallisierung
Anwendung:
Faserlaser-Pumpquelle
Bodenlaser-Pumpquelle
Direkter Halbleiterlaser
Spezifikation:
Artikel-Nr.: LC945SE12
| Optisch | Typ |
| Zentrale Wellenlänge | 945 nm |
| Ausgangsleistung | 12W |
| Arbeitsmodus | CW |
| Emitterbreite | 90μm |
| Emitterabstand | 400μm |
| Hohlraumlänge | 4000μm |
| Schnelle Achsendivergenz (FWHM) | 27 Grad |
| Slow-Axis-Divergenz (FWHM) | 7 Grad |
| Spektrale Bandbreite (FWHM) | 4nm |
| Elektrisch | |
| Betriebsstrom Iop | 12A |
| Schwellenstrom Ith | 0.8A |
| Betriebsspannung Vop | 1.65V |
| Umwandlungseffizienz | 61% |
| Thermal | |
| Betriebstemperatur | 20 Grad |
| Wellenlängen-Temperaturkoeffizient | 0,35 nm/Grad |
Leistungskurve und Größenzeichnung
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