20 W 976 nm Einzelemitter-Laserchips für medizinische und ästhetische Zwecke
Merkmale:
- CW-Arbeitsmodus, 1 W/A Steigungseffizienz
- Geringe Strahldivergenz und kleine Lichtaustrittsöffnung
- Einzelemitter-Laserchip
- Optimiertes epitaktisches Strukturdesign5. Hoher Wirkungsgrad der Energieumwandlung
Anwendung:
- Medizinisch und ästhetisch
- Laserbeleuchtung
- Optische Freiraumkommunikation
Der Laserchip ist ein unverzichtbares Kerngerät für die Entwicklung der Laserindustrie und der technische Kern der gesamten Laserindustriekette. 20 W 976 nm Einzelemitter-Laserchip mit CW-Arbeitsmodus und mit nur 1 Emitter. Der Wirkungsgrad der Energieumwandlung kann bis zu 54 % erreichen.
Technischer Parameter
Artikel-Nr.: LC976SE20
Artikelname: 20 W 976 nm Einzelemitter-Laserchips
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Optisch |
Typ |
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Zentrale Wellenlänge |
976 nm |
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Ausgangsleistung |
20W |
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Arbeitsmodus |
CW |
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Spektrumbreite |
4nm |
| Anzahl der Emitter | 1 |
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Emitterbreite |
190μm |
| Hohlraumbreite | 500um |
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Hohlraumlänge |
4000μm |
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Hohlraumdicke |
130μm |
| Schnelle Achsendivergenz | 29 Grad |
| Langsame Achsendivergenz | 9 Grad |
| Polarisationsmodus | TE |
| Steigungseffizienz | 1W/A |
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Elektrisch |
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Betriebsstrom Iop |
23A |
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Schwellenstrom Ith |
1.2A |
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Betriebsspannung Vop |
1.7V |
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Umwandlungseffizienz |
54% |
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Thermal |
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Betriebstemperatur |
25 Grad |
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Wellenlängen-Temperaturkoeffizient |
0,35 nm/Grad |
LIV-Kurve:
Laserchips sind die Kernkomponenten moderner optoelektronischer Technologie und ihr Materialsystem bestimmt die Leistung und Einsatzgebiete von Lasern. Je nach Materialsystem werden Laserchips hauptsächlich in Blaulichtserien auf Basis von Galliumnitrid (GaN)-, Galliumarsenid (GaAs), Indiumphosphid (InP) usw. unterteilt. Diese Materialien liegen normalerweise in Form von ternären oder quartären Verbindungen vor und haben ihre eigenen einzigartigen Eigenschaften und Anwendungsvorteile.
Galliumnitrid (GaN) ist ein Halbleitermaterial mit großer Bandlücke, das aufgrund seiner hervorragenden Elektronenmobilität und hohen Wärmeleitfähigkeit häufig in Blaulichtlasern verwendet wird. Galliumnitrid-Laser zeichnen sich durch hohe Leistung, hohe Effizienz und lange Lebensdauer aus und werden häufig in Bereichen wie dem Lesen von CDs, der Anzeigetechnologie und medizinischen Geräten eingesetzt.
Galliumarsenid (GaAs) ist ein wichtiges III{0}}V-Halbleitermaterial, das häufig in Lasern im Infrarot- und nahen -Infrarotbereich verwendet wird. Das GaAs-Materialsystem kann mit Elementen wie Aluminium und Antimon kombiniert werden, um eine Vielzahl von Verbindungen zu bilden, beispielsweise Aluminium-Gallium-Arsen (AlGaAs) und Indium-Gallium-Arsen (InGaAs). Diese Materialien werden häufig in der elektro-optischen Kommunikation, der optischen Speicherung und der Radartechnologie eingesetzt.
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