3 W 1470 nm Einzelemitter-Laserchip

Der 3-W-1470-nm-Einzelemitter-Laserchip ist ein InP-basierter unmontierter Diodenlaserchip, der im Bereich von 1450 bis 1490 nm arbeitet. Es liefert 3 W Leistung und hat einen Wirkungsgrad von mehr als 23 %. Dieser TE-polarisierte Laserdiodenchip hat eine spektrale Breite von weniger als 20 nm (FWHM). Es besteht aus einzelnen Emittern mit einer Breite von 100 μm. Der 3-W-1470-nm-Einzelemitter-Laserchip benötigt eine Gleichstromversorgung von 1,6 V und verbraucht weniger als 9 A Strom. Es wird mit der InP-Epitaxieschicht von Brandnew hergestellt und eignet sich ideal für medizinische, ästhetische, Beleuchtungs- und Materialverarbeitungsanwendungen.