3W 808nm CW Einzelemitter-Laserchip

3W 808nm CW Einzelemitter-Laserchip

Artikel-Nr.: LC808SE3
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Beschreibung

3W 808nm CW-Einzelemitter-Laserchip für optische Kommunikation im freien Raum

Single-Emitter-Laserdioden (SE)-Chips sind der Grundbaustein für Hochleistungs- und Hochleistungs-Halbleiterlasermodule. Unsere Produkte lassen sich einfach mit Standard-Lötverfahren montieren.

Auf Wunsch fertigen wir auch Stäbe mit durchgehender p-Seiten-Metallisierung und angepassten Facettenbeschichtungen unter Verwendung von AR-Beschichtungen für den Aufbau externer Resonatoren.

Besonderheit:

effiziente Verpackungswärmeableitungstechnologie

Niederspannung, hoher Wirkungsgrad, lange Lebensdauer

hohe Zuverlässigkeit und hohe Kostenleistung

hohe Temperaturbeständigkeitseigenschaften

Ausgezeichnete Lötbarkeit

Anwendung:

Autonomes Fahren Lidar

Faserlaser-Seeding

Dermatologie und Chirurgie.

Materialbearbeitung

3W 808nm CW Single Emitter Laser Chip

Datenblatt

Artikel-Nr.: LC808SE3

Artikelname:3W 808nm CW Single Emitter Laserchip

Optisch

Typ

Zentrale Wellenlänge

808 nm

Ausgangsleistung

3W

Arbeitsmodus

CW

Spektrumbreite

2nm

Emitterbreite

100μm

Emitter-Pitch

500μm

Hohlraumlänge

2000μm

Dicke

130μm

Schnelle Achsendivergenz35Grad
Schnelle Achsendivergenz9Grad
PolarisationsmodusTE
Pisteneffizienz1.2W/A

Elektrisch


Betriebsstrom Iop

2.8A

Schwellenstrom Ith

0.4A

Betriebsspannung Vop

1.75V

Konvertierungseffizienz

60%

Thermal


Betriebstemperatur

15-35℃

Wellenlängen-Temperaturkoeffizient

0,28 nm/℃


Zeichnung:

3w 808 LC LIV

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