3W 808nm CW-Einzelemitter-Laserchip für optische Kommunikation im freien Raum
Single-Emitter-Laserdioden (SE)-Chips sind der Grundbaustein für Hochleistungs- und Hochleistungs-Halbleiterlasermodule. Unsere Produkte lassen sich einfach mit Standard-Lötverfahren montieren.
Auf Wunsch fertigen wir auch Stäbe mit durchgehender p-Seiten-Metallisierung und angepassten Facettenbeschichtungen unter Verwendung von AR-Beschichtungen für den Aufbau externer Resonatoren.
Besonderheit:
effiziente Verpackungswärmeableitungstechnologie
Niederspannung, hoher Wirkungsgrad, lange Lebensdauer
hohe Zuverlässigkeit und hohe Kostenleistung
hohe Temperaturbeständigkeitseigenschaften
Ausgezeichnete Lötbarkeit
Anwendung:
Autonomes Fahren Lidar
Faserlaser-Seeding
Dermatologie und Chirurgie.
Materialbearbeitung

Datenblatt
Artikel-Nr.: LC808SE3
Artikelname:3W 808nm CW Single Emitter Laserchip
Optisch | Typ |
Zentrale Wellenlänge | 808 nm |
Ausgangsleistung | 3W |
Arbeitsmodus | CW |
Spektrumbreite | 2nm |
Emitterbreite | 100μm |
Emitter-Pitch | 500μm |
Hohlraumlänge | 2000μm |
Dicke | 130μm |
| Schnelle Achsendivergenz | 35Grad |
| Schnelle Achsendivergenz | 9Grad |
| Polarisationsmodus | TE |
| Pisteneffizienz | 1.2W/A |
Elektrisch | |
Betriebsstrom Iop | 2.8A |
Schwellenstrom Ith | 0.4A |
Betriebsspannung Vop | 1.75V |
Konvertierungseffizienz | 60% |
Thermal | |
Betriebstemperatur | 15-35℃ |
Wellenlängen-Temperaturkoeffizient | 0,28 nm/℃ |
Zeichnung:

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