100 mW 850 nm VCSEL-Chip

100 mW 850 nm VCSEL-Chip

Artikel-Nr.: VC850LC01
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Beschreibung

 

 

1W 850nm Vcsel Die Diode Laser
 
 

100 mW 850 nm VCSEL-Chip

Besonderheit

  • 850 nm Wellenlängenbereich, Multi-Emitter-VCSEL
  • Impulsbreite 0,5 ms, Arbeitszyklus 1 %
  • Niedriger Schwellenstrom
  • Typische Ausgangsleistung 100 mW bei 140 mA

 

Anwendung

  • 3D-Sensoren
  • Lidars
  • IR-Beleuchtung
  • Medizinische Anwendung
  • Festkörper-Pumpenquelle

 

  1. Der VCSEL wird in verschiedenen Bereichen eingesetzt. In der Automobilindustrie wird es in Multimedia-Netzwerken und Sicherheitssensoren eingesetzt.
  2. Im IT-Bereich wird es auf Gigabit Ethernet SAN, SONET und VSR angewendet. VCSELs sind auch in Sensoren, für Encoder und Gassensoren einsetzbar.
  3. Im Medizin- und Biobereich werden VCSELs für Blutzuckermessgeräte und Laser zur Hautpflege eingesetzt.

 

Datumsblatt

Artikelnummer:VC850LC01

Optisch  
Mittenwellenlänge 850 nm
Arbeitsmodus QCW
Ausgangsleistung 100 mW
Spanbreite 300 um
Chiplänge 300 um
Spandicke 130um
Divergenz (FWHM) 20 Grad
Steigungseffizienz 1W/A
Elektrisch  
Betriebsstromschleife 25mA
Schwellenwert Strom Lth 140mA
Betriebsspannung Vop 2.1V
Thermal  
Betriebstemp. 25 Grad

 

Zeichnung:

sd

Der Unterschied zwischen EEL und VCSEL:

product-542-242

  1. Ein typischer Halbleiterlaser wird als kantenemittierender Laser bezeichnet und emittiert Licht in einer Richtung parallel zur Oberfläche des Halbleiterwafers.
  2. Unsere Forschungs- und Entwicklungsarbeiten an oberflächenemittierenden Lasern mit vertikalem Hohlraum (VCSELs) begannen um das Jahr 2000.
  3. Dieser Laser emittiert Licht in einer Richtung senkrecht zur Waferoberfläche.
  4. Es hat einige Vorteile gegenüber kantenemittierenden Lasern: Es ist kompakter, verbraucht weniger Strom und lässt sich einfacher in zwei Dimensionen anordnen.

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