50 W 905 nm Einzelemitter-Laserchip
Merkmale:
- 50W Ausgangsleistung
- Die Impulsbreite beträgt 100 ns
- 1000 µm Hohlraumlänge, 400 µm Chipbreite
- Hoher Wirkungsgrad der Energieumwandlung 40 %
Anwendungen:
- Medizin & Kosmetik
- Materialverarbeitung
- Pumpen von Festkörperlasern
- Wissenschaftliche Forschung
Unmontierter 50-W-Laserchip mit hoher Leistung, kann im diskontinuierlichen Wellenmodus (QCW) mit einer maximalen optischen Ausgangsleistung von bis zu 50 W (905 nm) betrieben werden. Dieses Produkt verfügt über eine hohe Leistungsumwandlungseffizienz. Es ist für die Massenproduktion-optimiert.
Andere Wellenlängen und Leistungen sind auf individueller Basis erhältlich. Bitte kontaktieren Sie uns bei Bedarf!
Datenblatt
Artikel-Nr.: LC905SE50
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Optisch |
Typ |
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Zentrale Wellenlänge |
905 nm |
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Ausgangsleistung |
50W |
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Arbeitsmodus |
QCW |
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Spektrumbreite |
4nm |
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Emitterbreite |
135μm |
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Hohlraumlänge |
1000μm |
| Spanbreite | 400 um |
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Dicke |
130μm |
| Schnelle Achsendivergenz | 30 Grad |
| Langsame Achsendivergenz | 10 Grad |
| Polarisationsmodus | TE |
| Steigungseffizienz | 3W/A |
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Elektrisch |
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Betriebsstrom Iop |
21A |
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Schwellenstrom Ith |
0.9A |
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Betriebsspannung Vop |
6.3V |
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Umwandlungseffizienz |
40% |
| Impulsbreite | 100ns |
| Arbeitszyklus | 0.01% |
| Wiederholungsfrequenz | 1000Hz |
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Thermal |
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Betriebstemperatur |
25 Grad |
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Wellenlängen-Temperaturkoeffizient |
0,31 nm/Grad |
Zeichnung:
Single-Emitter-Diodenlaser:
Eine übliche Methode besteht darin, mehrere Emitter entlang eines großflächigen Chips zu gruppieren, der als Streifen, Streifenstapel oder monolithisches Laserdiodenarray bezeichnet wird, wobei die Anzahl der Diodenemitter auf einem einzelnen Streifen zwischen etwa 10 und 100 liegt.
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