25 W 915 nm Einzelemitter-Laserchip
Laserchips nutzen das Prinzip der stimulierten Strahlung, um unter Anregung elektrischer Signale Laser durch Halbleitermaterialien zu erzeugen und so den Prozess der Umwandlung elektrischer Energie in Lichtenergie zu realisieren. Diese Technologie ist von großer Bedeutung für die breite Anwendung von Glasfaserkommunikation, industrieller Fertigung, 3D-Sensorik, Automobil-Lidar und anderen Bereichen
Hauptmerkmale:
915 nm Zentralwellenlänge
Schlüsselkomponente für die anfängliche Umwandlung elektrischer Energie in Licht
Weit verbreitet bei der direkten Materialbearbeitung oder dem optischen Pumpen von Festkörperlasern, Faserlasern oder Scheibenlasern
Spezifikation:
Artikel-Nr.: LC915SE25
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Optisch |
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Zentrale Wellenlänge |
915 nm |
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Optische Ausgangsleistung |
25W |
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Arbeitsmodus |
CW |
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Spektrumbreite |
5nm |
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Emitterbreite |
200μm |
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Hohlraumbreite |
490-510μm |
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Hohlraumlänge |
4290-4310μm |
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Hohlraumdicke |
115-135μm |
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Schnelle Achsendivergenz (FWHM) |
30 Grad |
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Slow-Axis-Divergenz (FWHM) |
12 Grad |
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Elektrisch |
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Betriebsstrom Iop |
26.1A |
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Schwellenstrom Ith |
1.8A |
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Betriebsspannung Vop |
1.8V |
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Umwandlungseffizienz |
50% |
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Thermal |
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Betriebstemperatur |
15-35 Grad |
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Wellenlängen-Temperaturkoeffizient |
0,35 nm/Grad |
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